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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor 3-phasen Brücke IGBT Urmax 1,2kV

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Code: TMESKIIP39AC126V20
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Hersteller: SEMIKRON

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor 3-phasen Brücke IGBT Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie3-phasen Brücke IGBT
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom118A
Leistung30kW
GehäuseMiniSKiiP® 3
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische MontagePress-Fit
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls280A
Mechanische Montageschraubbar