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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,2kV

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Code: TMEAPTGT200DH120G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologieasymmetrische Brücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom200A
GehäuseSP6C
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls400A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar