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Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,2kV
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTGT200DH120G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 5 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ IGBT Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Topologie asymmetrische Brücke Rückspannung max. 1.2kV Kollektor-Emitter-Strom 200A Gehäuse SP6C Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Gate - Emitter Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 400A Technologie Field Stop Technologie Trench Mechanische Montage schraubbar