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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,7kV

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Code: TMEAPTGT50DH170TG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,7kV - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologieasymmetrische Brücke
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom50A
GehäuseSP4
Elektrische MontageLöten
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls100A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar