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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 600V

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Code: TMEAPTGT100DH60TG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 600V - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologieasymmetrische Brücke
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.600V
Kollektor-Emitter-Strom100A
GehäuseSP4
Elektrische MontageLöten
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar