Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 600V

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTGT50DH60T1G
Packen:
Mindestabnahme: 19
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€68.55 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€56.65 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 19+ ks Mehr
Einzelpreis €56.65 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 19


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 600V - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologieasymmetrische Brücke
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.600V
Kollektor-Emitter-Strom50A
GehäuseSP1
AnwendungMotoren
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls100A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar