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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 1,2kV Ic 475A SP6C

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Code: TMEAPTGL475U120DAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 1,2kV Ic 475A SP6C - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologieeinzelner Transistor + Reihendiode
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom475A
GehäuseSP6C
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls800A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar