Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 1200V Ic 100A C6 62mm

Strichcode:
Code: TMEGD100PIY120C6SN
Packen:
Mindestabnahme: 10
Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

Menge


Versandkosten

(Preis inkl. gesetzl. MwSt.) auf Frage

Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 1200V Ic 100A C6 62mm - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie3-Phasendiodenbrücke
Topologieboost chopper
TopologieIGBT three-phase bridge OE output
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom100A
GehäuseC6 62mm
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar