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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 1200V Ic 10A F4.1

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Code: TMEGD10PJY120F4S
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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 1200V Ic 10A F4.1 - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie3-Phasendiodenbrücke
Topologieboost chopper
TopologieIGBT three-phase bridge OE output
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom10A
GehäuseF4.1
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls20A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar