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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 650V Ic 30A F1.1

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Code: TMEGD30PJX65F1S
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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 650V Ic 30A F1.1 - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie3-Phasendiodenbrücke
Topologieboost chopper
TopologieIGBT three-phase bridge OE output
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.650V
Kollektor-Emitter-Strom30A
GehäuseF1.1
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls60A
TechnologieTrench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar