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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT einzelner Transistor einzelner Transistor Ic 100A

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Code: TMEGD100SGY120D6S
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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT einzelner Transistor einzelner Transistor Ic 100A - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Topologieeinzelner Transistor
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom100A
GehäuseD6
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar