GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEGD100SGY120D6S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul IGBT einzelner Transistor einzelner Transistor Ic 100A - Produkt beschreibung
| Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Topologie | einzelner Transistor |
| Rückspannung max. | 1200V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 100A |
| Gehäuse | D6 |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 200A |
| Technologie | Advanced Trench FS IGBT |
| Mechanische Montage | schraubbar |