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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,2kV Ic 57A SOT227B

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Code: TMEAPT75GT120JRDQ3
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,2kV Ic 57A SOT227B - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom57A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls300A
TechnologieNPT
TechnologiePOWER MOS 7®
Mechanische Montageschraubbar