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IGBT-Module

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Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,2kV Ic 66A SOT227B

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Code: TMEIXYN82N120C3H1
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Hersteller: IXYS

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Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,2kV Ic 66A SOT227B - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom66A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls320A
Verlustleistung500W
TechnologieGenX3™
TechnologieXPT™
Mechanische Montageschraubbar