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IGBT-Module

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Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,7kV Ic 75A SOT227B

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Code: TMEIXBN75N170
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,7kV Ic 75A SOT227B - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Rückspannung max.1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom75A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls680A
Verlustleistung625W
TechnologieBiMOSFET™
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung
Mechanische Montageschraubbar