GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
| Einheiten auf Lager i | 1 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXBN75N170 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,7kV Ic 75A SOT227B - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Rückspannung max. | 1.7kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 75A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 680A |
| Verlustleistung | 625W |
| Technologie | BiMOSFET™ |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung |
| Mechanische Montage | schraubbar |