- Batterien und Akkumulatoren
- Stromversorgungen
- Kabel und Steckverbinder
- Solartechnik
- Reduktoren und Konverter
- Werkzeuge, Werkzeug
- GSM-Verstärker
- Sicherheitstechnik
- Mobiles Zubehör
- Computerzubehör
-
Elektronische Komponenten
- Widerstände
- Kondensatoren
- Induktivitäten-Drosseln
- Komponenten zur Herstellung von Spulen
- Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren
- Frequenzfilter
- Stifte, Ösen, Hülsen
- Sicherungen, Überspannungsschutz
- Transformatoren
- Dioden, Gleichrichterbrücken
- Transistoren
- Thyristoren, Triacs, Diacs
- Integrierte Schaltkreise
- Sensoren für nichtelektrische Größen
- Optoelektronische Bauelemente
- Displays, Touchscreens
- Akustische Wandler, Lautsprecher
- Ventilatoren
- Kühler, Peltier-Elemente
- Motoren, Servomechanismen
- Relais, Schütze und magnetische Kontakte
- Mechanische Schaltelemente
- Steckverbinder, Reduzierstücke
- Klemmleiste
- Leiter und Kabel
- Mechanische Konstruktionskomponenten
- Konstruktionsboxen und -kästen
- Zweckgebundene Konstruktionsmodule
- Programmiergeräte, EPROM-Löschgeräte
- Diskrete Halbleitermodule
- Zubehör für Halbleiter
- Hochspannungsgeneratoren
- Kühl- und Heizsysteme
- Krab. für Versorgungseinr. und Sensoren.
- Encoder
- Komponenten für EMI/EMC
- Einplatinencomputer
- Zubehör für Embedded-Systeme.
- Elektroinstallations material
- Bergbau
- Chemie-Leiterplatten (Leiterplatten mit doppelseitigem Druck)
- Spielzeug, Baukästen
- Messgeräte
- Beleuchtungstechnik
- Zuhause, Büro
- Schutzausrüstung
- Mechanische Elemente
- Automationstechnik
- Robotik
- Die Anderen
- Ausverkauf
Inhalt Warenkorb
Einloggen in Shop
GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
Modul IGBT IGBT Halbbrücke x2 Urmax 4,5kV Ic 800A HIPAK
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TME5SNA0800J450300 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ABB |
Produkt beschreibung
Modul IGBT IGBT Halbbrücke x2 Urmax 4,5kV Ic 800A HIPAK - Produkt beschreibung
| Hersteller | ABB |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | gemeinsamer Emitter |
| Struktur des Halbleiters | gemeinsames Gate |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | IGBT Halbbrücke x2 |
| Rückspannung max. | 4.5kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 800A |
| Gehäuse | HIPAK |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 1.6kA |
| Mechanische Montage | schraubbar |