GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEMG12150W-XN2MM |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | 3-phasen Brücke IGBT |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 150A |
| Gehäuse | package W |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 300A |
| Technologie | Field Stop |
| Technologie | Trench |
| Mechanische Montage | schraubbar |