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IGBT-Module

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Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEGD150FFY120C6S
Packen:
Mindestabnahme: 10
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
Topologie3-phasen Brücke IGBT
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom150A
GehäuseC6 62mm
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls300A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar