GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEGD2400SGY120C3S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsames Gate Ic 2400A - Produkt beschreibung
| Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
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| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | gemeinsames Gate |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | einzelner Transistor |
| Rückspannung max. | 1200V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 2400A |
| Gehäuse | C3 130mm |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 4800A |
| Technologie | Advanced Trench FS IGBT |
| Mechanische Montage | schraubbar |