GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEGD1600SGX170C3S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsames Gate IGBT x2 - Produkt beschreibung
| Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | gemeinsames Gate |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | IGBT x2 |
| Rückspannung max. | 1700V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 1600A |
| Gehäuse | C3 130mm |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 3200A |
| Technologie | Trench FS IGBT |
| Mechanische Montage | schraubbar |