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IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsames Gate IGBT x2

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEGD1600SGX170C3S
Packen:
Mindestabnahme: 8
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsames Gate IGBT x2 - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleitersgemeinsames Gate
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT x2
Rückspannung max.1700V
Kollektor-Emitter-Strom1600A
GehäuseC3 130mm
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls3200A
TechnologieTrench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar