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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsames Gate IGBT x3

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Strichcode:
Code: TMEGD3600SGY120C4S
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Mindestabnahme: 8
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsames Gate IGBT x3 - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleitersgemeinsames Gate
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT x3
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom3600A
GehäuseC4 140mm
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls7200A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar