Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTGT35A120T1G
Packen:
Mindestabnahme: 18
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€74.95 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€61.94 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 18+ ks Mehr
Einzelpreis €61.94 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 18


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom35A
GehäuseSP1
AnwendungMotoren
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls70A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar