Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEMG100HF12MRC1-YAN
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY

€48.9 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€40.42 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 3+ ks 10+ ks Mehr
Einzelpreis €36.41 €25.96 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerYANGJIE TECHNOLOGY
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom100A
GehäuseC1 34mm
AnwendungMotoren
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
Mechanische Montageschraubbar