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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

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Code: TMEDAGNH1001200-DCO
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Hersteller: DACO Semiconductor

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerDACO Semiconductor
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom100A
GehäuseHW9434
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
Verlustleistung555W
Mechanische Montageschraubbar