Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Module

IGBT-Module

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module


Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTGLQ150A120TG
Packen:
Mindestabnahme: 8
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€169.38 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€139.99 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 8+ ks Mehr
Einzelpreis €139.99 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 8


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom150A
GehäuseSP4
AnwendungMotoren
Elektrische MontageLöten
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls480A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar