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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,7kV

Einheiten auf Lager i 31 Menge
Strichcode:
Code: TMESKM200GB176D
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: SEMIKRON

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,7kV - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom180A
GehäuseSEMITRANS3
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls300A
Mechanische Montageschraubbar