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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1200V

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEGD200HFY120C8S
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Mindestabnahme: 16
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1200V - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom200A
GehäuseC8 48mm
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls400A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar