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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1200V

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Code: TMEGD600HFY120P1S
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Mindestabnahme: 9
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1200V - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom600A
GehäuseP1.0
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls1200A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar