GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEGD75HFY120C1S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1200V - Produkt beschreibung
| Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | IGBT Halbbrücke |
| Rückspannung max. | 1200V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 75A |
| Gehäuse | C1 34mm |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 150A |
| Technologie | Advanced Trench FS IGBT |
| Mechanische Montage | schraubbar |