Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1700V

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEGD75HFX170C1S
Packen:
Mindestabnahme: 24
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

(Preis inkl. gesetzl. MwSt.) auf Frage

Menge

Mindestabnahme: 24


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1700V - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1700V
Kollektor-Emitter-Strom75A
GehäuseC1 34mm
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls150A
TechnologieTrench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar