GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEGD200HFX65C8S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 16 |
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 650V - Produkt beschreibung
| Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | IGBT Halbbrücke |
| Rückspannung max. | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 200A |
| Gehäuse | C8 48mm |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 400A |
| Technologie | Trench FS IGBT |
| Mechanische Montage | schraubbar |