GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSC130SM120JCU2 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 138A SOT227B schraubbar - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 138A Gehäuse SOT227B Topologie boost chopper Elektrische Montage schraubbar Widerstand im Leitungszustand 16mΩ Drainstrom im Impuls 350A Verlustleistung 745W Technologie SiC Mechanische Montage schraubbar