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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 164A SP6C Idm 440A 925W SiC
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTMC60TLM14CAG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 164A SP6C Idm 440A 925W SiC - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 164A Gehäuse SP6C Topologie 3-Level 1-Phasen Wechselrichter Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 12mΩ Drainstrom im Impuls 440A Verlustleistung 925W Technologie SiC Mechanische Montage schraubbar