GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
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| Code: | TMEAPTMC120AM08CD3AG |
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| Mindestabnahme: | 1 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 190A D3 Idm 550A 1,1kW SiC - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 190A Gehäuse D3 Topologie MOSFET Halbbrücke Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 10mΩ Drainstrom im Impuls 550A Verlustleistung 1.1kW Technologie SiC Mechanische Montage schraubbar