GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTMC120AM08CD3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 190A D3 Idm 550A 1,1kW SiC - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 190A |
| Gehäuse | D3 |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 550A |
| Verlustleistung | 1.1kW |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |