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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 190A D3 Idm 550A 1,1kW SiC

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Code: TMEAPTMC120AM08CD3AG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 190A D3 Idm 550A 1,1kW SiC - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom190A
GehäuseD3
TopologieMOSFET Halbbrücke
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand10mΩ
Drainstrom im Impuls550A
Verlustleistung1.1kW
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar