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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 202A SP3F Press-in PCB SiC
| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSCSM120AM11CT3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 3 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 202A SP3F Press-in PCB SiC - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 202A Gehäuse SP3F Topologie Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 10.4mΩ Drainstrom im Impuls 500A Verlustleistung 1067W Technologie SiC Mechanische Montage schraubbar