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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 268A SP3F Press-in PCB SiC

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Code: TMEMSCSM120AM08CT3AG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 268A SP3F Press-in PCB SiC - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom268A
GehäuseSP3F
TopologieHalbbrücke MOSFET + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand7.8mΩ
Drainstrom im Impuls675A
Verlustleistung1409W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar