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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 44A SP1F Press-in PCB 245W

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Code: TMEMSCSM120AM50CT1AG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 44A SP1F Press-in PCB 245W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom44A
GehäuseSP1F
TopologieHalbbrücke MOSFET + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand50mΩ
Drainstrom im Impuls110A
Verlustleistung245W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar