Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 58A SP3F Press-in PCB 375W

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEAPTMC120TAM34CT3AG
Packen:
Mindestabnahme: 2
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

(Preis inkl. gesetzl. MwSt.) auf Frage

Menge

Mindestabnahme: 2


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 58A SP3F Press-in PCB 375W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom58A
GehäuseSP3F
Topologie3-phasen Brücke MOSFET
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand34mΩ
Drainstrom im Impuls150A
Verlustleistung375W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar