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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 98A D3 Idm 262A 625W SiC

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
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Code: TMEAPTMC120AM16CD3AG
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Mindestabnahme: 2
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 98A D3 Idm 262A 625W SiC - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom98A
GehäuseD3
TopologieMOSFET Halbbrücke
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand20mΩ
Drainstrom im Impuls262A
Verlustleistung625W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar