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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1kV 17A SP6P Ugs ±30V Idm 88A

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Code: TMEAPTM100TA35SCTPG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1kV 17A SP6P Ugs ±30V Idm 88A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom17A
GehäuseSP6P
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand420mΩ
Drainstrom im Impuls88A
Verlustleistung390W
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologieSiC
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar