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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1kV 49A SP6C Ugs ±30V Idm 240A

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Code: TMEAPTM100A13SCG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1kV 49A SP6C Ugs ±30V Idm 240A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom49A
GehäuseSP6C
TopologieHalbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand156mΩ
Drainstrom im Impuls240A
Verlustleistung1.25kW
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologieSiC
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar