GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM100A13SCG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 4 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1kV 49A SP6C Ugs ±30V Idm 240A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1kV |
| Drainstrom | 49A |
| Gehäuse | SP6C |
| Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 156mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 240A |
| Verlustleistung | 1.25kW |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Technologie | SiC |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |