Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 500В 110А SP6C Ugs ±30В Idm 600А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM50AM24SCG
Упаковка:
Mindestabnahme: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€385.9 (Цена с НДС)
€318.9 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. €318.93 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 500В 110А SP6C Ugs ±30В Idm 600А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток500В
Ток стока110А
КорпусSP6C
Топологияполумост MOSFET + последовательные диоды + параллельные диоды
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии28мОм
Ток стока в импульсном режиме600А
Рассеиваемая мощность1,25кВт
ТехнологияPOWER MOS 7®
ТехнологияSiC
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами