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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 500V 67A SP4 Ugs ±30V Idm 360A

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Code: TMEAPTM50AM38SCTG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 500V 67A SP4 Ugs ±30V Idm 360A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung500V
Drainstrom67A
GehäuseSP4
TopologieHalbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand45mΩ
Drainstrom im Impuls360A
Verlustleistung694W
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologieSiC
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar