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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 600V 38A SP4 Ugs ±20V Idm 130A

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Code: TMEAPTC60HM45SCTG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 600V 38A SP4 Ugs ±20V Idm 130A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom38A
GehäuseSP4
TopologieBrücke H
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand45mΩ
Drainstrom im Impuls130A
Verlustleistung250W
TechnologieCoolMOS™
TechnologieSiC
TechnologieSJ-MOSFET
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar