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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul SiC-Diode/Transistor 800V 32A SP4 Ugs ±30V Idm 168A
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC80A10SCTG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul SiC-Diode/Transistor 800V 32A SP4 Ugs ±30V Idm 168A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 800V |
| Drainstrom | 32A |
| Gehäuse | SP4 |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 100mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 168A |
| Verlustleistung | 416W |
| Technologie | CoolMOS™ |
| Technologie | SiC |
| Technologie | SJ-MOSFET |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |