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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul SiC-Diode/Transistor,gemeinsamer Emitter 1,2kV 55A
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTMC120HRM40CT3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 3 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor,gemeinsamer Emitter 1,2kV 55A - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters gemeinsamer Emitter Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 55A Gehäuse SP3F Topologie IGBT x2 Topologie MOSFET Halbbrücke Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 34mΩ Drainstrom im Impuls 140A Verlustleistung 375W Technologie Field Stop Technologie SiC Technologie Trench Mechanische Montage schraubbar