GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEVMM300-03F |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul Transistor/Transistor 300V 220A Y3-DCB Ugs ±20V 1,5kW - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 300V |
| Drainstrom | 220A |
| Gehäuse | Y3-DCB |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 7.4mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 1.16kA |
| Verlustleistung | 1.5kW |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Mechanische Montage | schraubbar |