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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 600V 15A SP1 Ugs ±30V Idm 125A
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM60H23FT1G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 15 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Transistor/Transistor 600V 15A SP1 Ugs ±30V Idm 125A - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Transistor/Transistor Drain-Source Spannung 600V Drainstrom 15A Gehäuse SP1 Topologie Brücke H Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 230mΩ Drainstrom im Impuls 125A Verlustleistung 208W Technologie FREDFET Technologie POWER MOS 8® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar