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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 600V 27A SP1 Ugs ±20V Idm 115A
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTCV40H60CT1G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 13 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul Transistor/Transistor 600V 27A SP1 Ugs ±20V Idm 115A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET/IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 27A |
| Gehäuse | SP1 |
| Topologie | Brücke H |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 83mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 115A |
| Verlustleistung | 250W |
| Technologie | CoolMOS™ |
| Technologie | Field Stop |
| Technologie | SiC |
| Technologie | Trench |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Mechanische Montage | schraubbar |
| Kollektor-Emitter-Strom | 50A |