GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC80H29T3G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Transistor/Transistor 800V 11A SP3 Ugs ±30V Idm 60A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 800V |
| Drainstrom | 11A |
| Gehäuse | SP3 |
| Topologie | Brücke H |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 290mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 60A |
| Verlustleistung | 156W |
| Technologie | SJ-MOSFET |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |