GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEAPTC80H15T3G |
| Упаковка: | |
| Mindestabnahme: | 14 |
| Производитель: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Модуль транзистор/транзистор 800В 21А SP3 Ugs ±30В Idm 110А - Описание товара
| Производитель | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Напряжение сток-исток | 800В |
| Ток стока | 21А |
| Корпус | SP3 |
| Топология | Н мост |
| Топология | термистор NTC |
| Электрический монтаж | Press-in PCB |
| Сопротивление в открытом состоянии | 150мОм |
| Ток стока в импульсном режиме | 110А |
| Рассеиваемая мощность | 277Вт |
| Технология | SJ-MOSFET |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Механический монтаж | винтами |