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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 100V 100A SP3F Ugs ±30V Idm 430A
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM10HM09FT3G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul Transistor/Transistor 100V 100A SP3F Ugs ±30V Idm 430A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 100V |
| Drainstrom | 100A |
| Gehäuse | SP3F |
| Topologie | Brücke H |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 430A |
| Verlustleistung | 390W |
| Technologie | FREDFET |
| Technologie | POWER MOS 5® |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |